آرشیوهای برچسب: ترانزیستور اثر میدان

دانلود پروژه ترانزیستور اثر میدان

دانلود پروژه ترانزیستور اثر میدان

  • عنوان پروژه : ترانزیستور اثر میدان
  • مربوط به رشته : الکترونیک
  • فرمت اجرایی : در قالب Word
  • تعداد صفحات : ۹۷ صفحه

توضیحی مختصر از پروژه ترانزیستور اثر میدان :

ترانزیستور اثر میدان (یا به اختصار FET) قطعه‌ ای سه پایانه است که در موارد بسیاری بکار می رود و در مقیاس وسیعی با ترانزیستور BJT رقابت می کند. اگر چه اختلافات مهمی بین این دو نوع قطعه وجود دارد اما تشابه بسیاری نیز بین آنها وجود دارد که در بخش های بعد به آن اشاره خواهد شد. عبارت «اثر میدان در نام این ترانزیستور با خود توضیحاتی را بهمراه دارد. ما همه با توانایی یک مغناطیس دائمی آشنا هستیم که براده‌ های فلزی را بدون تماس واقعی به سوی خود می کشد. میدان مغناطیسی یک مغناطیس دائمی براده‌ های آهن را در امتداد خطوط شار مغناطیسی جذب می کند. در FET، بوسیله بارهای آن میدان الکتریکی بوجود می آید که مسیر هدایت جریان خروجی را کنترل می کند بدون تماس مستقیم بین کنترل کننده و کمیت های کنترل شونده. این تمایل طبیعی است که دومین قطعه را با تعدادی از کاربردهای مشابه قطعه اول معرفی کرده و برخی مشخصه‌ های آن را با هم مقایسه کنیم.

شما عزیزان برای دانلود پروژه ترانزیستور اثر میدان و مشاهده توضیحات تکمیلی به ادامه مطلب مراجعه نمایید… .

ادامه + دانلود
گرافیک و طراحی : پارس تمز

Copyright © 2015 All rights Reserved

تمام حقوق مادی و معنوی و طرح قالب برای "تک آی آر" محفوظ است و هر گونه کپی برداری خلاف قوانین می شود.